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[主观题]

用特殊工艺把P型和N型半导体结合在一起后,在它们交界面上所形成的特殊____称做PN结。

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更多“用特殊工艺把P型和N型半导体结合在一起后,在它们交界面上所形成的特殊____称做PN结。”相关的问题

第1题

如果(1)硅用铝(3价)、(2)硅用磷(5价)参杂;而(3)锗用铟(3价)、(4)锗用锑(5价)掺杂;则分别获得半导体属于下述类型正确的是()。

A.(1)(2)均为n型半导体;(3)(4)均为p型半导体

B.(1)(3)均为n型半导体;(2)(4)均为p型半导体

C.(1)(3)均为p型半导体;(2)(4)均为n型半导体

D.(1)(2)均为p型半导体;(3)(4)均为n型半导体

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第2题

在什么条件下,金属和半导体接触形成电子阻挡层?()

A.金属和n型半导体接触,Wm>Ws

B.金属和n型半导体接触,Wm<Ws

C.金属和p型半导体接触,Wm>Ws

D.金属和p型半导体接触,Wm<Ws

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第3题

p型半导体的导电载流子为电子和空穴,并且以空穴导电为主。()
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第4题

P型半导体中,多数载流子是(),少数载流子是()N型半导体中,多数载流子是(),少数载流子是。
P型半导体中,多数载流子是(),少数载流子是()N型半导体中,多数载流子是(),少数载流子是。

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第5题

某半导体存在温度差时,在半导体两端产生了电动势,若半导体的高温端Vs为正,则该半导体是()型半导体。【填写“N”或“P”】
某半导体存在温度差时,在半导体两端产生了电动势,若半导体的高温端Vs为正,则该半导体是()型半导体。【填写“N”或“P”】

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第6题

半导体材料二氧化钛(TiO2)属于()型半导体。

A.P

B.PNP

C.N

D.NPN

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第7题

如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主杂质浓度和受主杂质浓度相等,会造成什么结果?()

A.施主杂质和受主杂质之间高度补偿,半导体中存在大量杂质,特性很差

B.施主杂质和受主杂质完全补偿掉,结果是没有杂质,类似本征半导体

C.通过杂质的补偿作用,半导体变为N型半导体

D.通过杂质的补偿作用,半导体变为P型半导体

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第8题

p沟道增强型比n沟道增强型器件更易制造的原因是氧化层正电荷的积累可能会使n型半导体反型。()
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第9题

以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是()。
A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体

B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体

C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体

D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体

E、n型半导体依靠导带电子导电

F、p型半导体依靠价带空穴导电

G、本征半导体中载流子由本征激发产生

H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度

I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子

J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴

K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生

L、杂质半导体中也存在本征激发的过程

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第10题

室温时,P型半导体的霍耳系数为()。【填写“正”或“负”】
室温时,P型半导体的霍耳系数为()。【填写“正”或“负”】

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第11题

P型半导体是在本征半导体中掺入()价杂质形成的,其多子是(),少子是()。
P型半导体是在本征半导体中掺入()价杂质形成的,其多子是(),少子是()。

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