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[多选题]

以下物理参量中,不随半导体掺杂浓度变化的是?()

A.半导体的导带底

B.半导体的电子亲和能

C.半导体的费米能级

D.半导体的功函数

答案
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更多“以下物理参量中,不随半导体掺杂浓度变化的是?()”相关的问题

第1题

对于p型半导体,费米能级随掺杂浓度的变化情况为:()。

A.费米能级随掺杂浓度的增加向价带顶移动

B.费米能级随掺杂浓度的增加向导带底移动

C.费米能级随掺杂浓度的增加向禁带中线移动

D.费米能级随掺杂浓度的增加向施主能级移动

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第2题

在掺杂半导体中,少子的浓度受()的影响很大。

A.温度

B.掺杂工艺

C.掺杂浓度

D.压力

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第3题

杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。

A.温度

B.掺杂工艺

C.掺杂浓度

D.晶格缺陷

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第4题

状态参量有的给出注意值,有的给出警示值,以下说法()是正确的。

A.仅有注意值要求的状态参量在诊断中仅有参考价值

B.超过警示值要求时,设备有缺陷的可能性很大,但是否确有缺陷,还要综合判断

C.警示值不随设备运行年数增加而明显改变

D.超过警示值要求极可能是家族性缺陷

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第5题

关于“载流子浓度随温度的变化”,以下说法正确的是:()。

A.低温区,载流子浓度随温度按指数规律变化

B.强电离区,载流子浓度不随温度变化

C.本征激发区,载流子浓度随温度按指数规律变化

D.强电离区,载流子浓度随温度按指数规律变化

E.本征激发区,载流子浓度不随温度变化

F.低温区,载流子浓度不随温度变化

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第6题

本征半导体具有以下哪些特性?()①热敏性②光敏性③掺杂性④单向导电性

A.②、③、④

B.①、②、④

C.①、②、③

D.①、②、③、④

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第7题

半导体具有以下特征:()。P32

A.热敏特性

B.光敏特性

C.掺杂特性

D.绝缘特性

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第8题

以下各项中不是n沟耗尽型MOS管形成原因的是()。

A.氧化层正电荷控制不当

B.衬底材料掺杂浓度选择不妥

C.源漏材料掺杂浓度选择不妥

D.以上都是形成的原因

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第9题

半导体工艺中,掺杂有哪几种方式?(仕兰微面试题目)

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第10题

以npn型双极型晶体管为例,以下关于发射区重掺杂效应的说法中错误的是()。

A.发射区重掺杂导致杂质能级分裂,禁带宽度变窄,增大

B.发射区重掺杂导致电子浓度升高,增大,发射效率提高

C.俄歇复合增强,空穴寿命减小,扩散长度减小,增大

D.考虑发射效率公式,放大系数减小

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