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更多“计算施主杂质浓度分别为1016cm-3，1018cm-3, 1019cm-3的硅在室温下的费米能级，并假定杂质是全部电离，再用算出的的费米能级核对一下，上述假定是否在每一种情况下都成立。计算时，取施主…”相关的问题
第2题
第3题
A.施主杂质和受主杂质之间高度补偿，半导体中存在大量杂质，特性很差
B.施主杂质和受主杂质完全补偿掉，结果是没有杂质，类似本征半导体
C.通过杂质的补偿作用，半导体变为N型半导体
D.通过杂质的补偿作用，半导体变为P型半导体
第4题
B、电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率
C、中性杂质不会对半导体产生影响
D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和
E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差
F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体
G、杂质会在半导体的禁带中引入能级
H、如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷
I、如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心
J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近，该杂质可有效促进载流子的复合，缩短非平衡载流子的寿命，起复合中心的作用，如掺入硅中的金
K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近，该杂质可暂时收容非平衡载流子，延长了非平衡载流子的寿命，起陷阱中心的作用
第6题
①在室温下，锗的有效态密度NC=1.05x1019cm-3, NV=5. 7x1018cm-3，试求锗的载流子有效质量mn+，mp+计算77K时的NC和NV。已知300K时，Eg=0. 67eV。77k时Eg=0. 76eV。求这两个温度时锗的本征载流子浓度。②77K时，锗的电子浓度为1017cm-3，假定受主浓度为零，而EC-ED=0. 01eV，求锗中施主浓度ED多少？
