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[单选题]

以npn型双极型晶体管为例,以下关于发射区重掺杂效应的说法中错误的是()。

A.发射区重掺杂导致杂质能级分裂,禁带宽度变窄,增大

B.发射区重掺杂导致电子浓度升高,增大,发射效率提高

C.俄歇复合增强,空穴寿命减小,扩散长度减小,增大

D.考虑发射效率公式,放大系数减小

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更多“以npn型双极型晶体管为例,以下关于发射区重掺杂效应的说法中错误的是()。”相关的问题

第1题

双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是()

A.GTO

B.IGBT

C.GTR

D.MCT

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第2题

双极型晶体管放大电路分析应该包含()。

A.直流分析

B.交流分析

C.结构分析

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第3题

双极型晶体管的集电极延迟时间是由集电结扩散电容的充放电引起的。()
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第4题

共基极连接使用的双极型晶体管没有电压放大作用,但是有电流和功率放大作用。()
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第5题

双极型晶体管的发射极和集电极是等效的,使用时可以互换不会影响晶体管的放大作用。()
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第6题

双极型晶体管(BJT)工作在放大区的条件是()。
双极型晶体管(BJT)工作在放大区的条件是()。

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第7题

双极型晶体管的电流增益-带宽乘积指的是()。

A.截止频率

B.特征频率

C.最高振荡频率

D.以上都不对

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第8题

对于双极型晶体管,共发射极电流放大系数截止频率比共基极电流放大系数截止频率高。()
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第9题

对于双极型晶体管,共发射极电流放大系数截止频率比共基极电流放大系数截止频率低得多。()
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第10题

采用方块电阻来表示双极型晶体管,无论是均匀基区晶体管还是缓变基区晶体管,其表达式都是一样的。()
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