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题目内容
（请给出正确答案）
A.费米能级随掺杂浓度的增加向价带顶移动
B.费米能级随掺杂浓度的增加向导带底移动
C.费米能级随掺杂浓度的增加向禁带中线移动
D.费米能级随掺杂浓度的增加向施主能级移动
答案
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第2题
A.费米能级表征电子的填充情况，费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小，费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大
B.本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近
C.N型半导体的费米能级比较靠近价带顶
D.N型半导体掺杂越高，费米能级离禁带中央越远
第3题
A.无外界作用
B.有确定的载流子浓度
C.有统一的费米能级
D.载流子浓度的乘积等于本征载流子浓度的平方
E.导带和价带之间没有统一的费米能级
F.载流子浓度的乘积不等于本征载流子浓度的平方G、有非平衡载流子
第5题
A.发射区重掺杂导致杂质能级分裂，禁带宽度变窄，增大
B.发射区重掺杂导致电子浓度升高，增大，发射效率提高
C.俄歇复合增强，空穴寿命减小，扩散长度减小，增大
D.考虑发射效率公式，放大系数减小
第6题
A.(1)(2)均为n型半导体;(3)(4)均为p型半导体
B.(1)(3)均为n型半导体;(2)(4)均为p型半导体
C.(1)(3)均为p型半导体;(2)(4)均为n型半导体
D.(1)(2)均为p型半导体;(3)(4)均为n型半导体
第9题
A.自由电子、空穴、位于晶格上的离子
B.无论P型还是N型半导体，自由电子、空穴都是导电介质
C.对于P型半导体，空穴是唯一的导电介质
D.对于N型半导体，空穴是唯一的导电介质
第10题
