N型半导体是在本征半导体中,加入少量的三价元素构成的杂质半导体。() - 快问云问答

第1题

P型半导体是在本征半导体中加入微量的（)元素构成。

A.三价

B.四价

C.五价

D.六价

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第2题

P型半导体是在本征半导体中掺入()价杂质形成的，其多子是()，少子是()。

P型半导体是在本征半导体中掺入（)价杂质形成的，其多子是（)，少子是（)。

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第3题

以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是()。

A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体

B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体

C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体

D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体

E、n型半导体依靠导带电子导电

F、p型半导体依靠价带空穴导电

G、本征半导体中载流子由本征激发产生

H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度

I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子

J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴

K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生

L、杂质半导体中也存在本征激发的过程

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第4题

在本征半导体中掺入（)构成P型半导体。

A.3价元素;

B.4价元素;

C.5价元素;

D.6价元素。

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第5题

下列关于费米能级的说法错误的是（)。

A.费米能级表征电子的填充情况，费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小，费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大

B.本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近

C.N型半导体的费米能级比较靠近价带顶

D.N型半导体掺杂越高，费米能级离禁带中央越远

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第6题

如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主杂质浓度和受主杂质浓度相等，会造成什么结果？（)

A.施主杂质和受主杂质之间高度补偿，半导体中存在大量杂质，特性很差

B.施主杂质和受主杂质完全补偿掉，结果是没有杂质，类似本征半导体

C.通过杂质的补偿作用，半导体变为N型半导体

D.通过杂质的补偿作用，半导体变为P型半导体

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第7题

理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面可能形成的状态有？（)

A.多子积累

B.多子耗尽

C.平坦能带

D.本征状态

E.少子反型

F.少子积累G、少子耗尽

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第8题

关于N型半导体的下列说法，正确的是（)。

A.只存在一种载流子：自由电子

B.在二极管中，N型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极

C.在纯净的硅衬底上，分散三价元素，可形成N型半导体

D.在PNP型的晶体管中，基区正是由N型半导体构成

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第9题

纯净的半导体就是本征半导体。（)

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第10题

本征半导体与金属导电机理的最大区别在于半导体同时存在二种载流子。（)

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第11题

在本征硅半导体中,掺人浓度为5x10¹⁵cm^-3的受主杂质,试指出T=300K时所形成的杂质半导体类型.若再掺人浓度为10¹⁶cm^-3的施主杂质,则将为何种类型半导体？若将该半导体温度分别上升到T=500K、600K,试分析为何种类型半导体.

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N型半导体是在本征半导体中，加入少量的三价元素构成的杂质半导体。（)