半导体硅是()工业重要基础材料、目前世界有()和()两种方法制备硅单晶,其中85%以上是用()工艺制做的。
第4题
A.法国
B.德国
C.日本
D.英国
第5题
半导体工业生产单质硅的过程中有三个重要反应:
(1)二氧化硅被还原为粗硅:SiO2(g)+2C(s)→Si(s)+2CO(g)
(2)硅被氯氧化成四氯化硅:Si(s)+2Cl2(g)→SiCl4(g)
(3)四氯化硅被镁还原生成纯硅:SiCl4(g)+2Mg(s)→2MgCl2(s)+Si(g)
计算上述各反应的(298K)和生产1.00kg纯硅的总反应热.
第8题
A.省内标杆动力煤生产基地
B.全国一流的炼焦煤生产基地
C.全球领先的尼龙新材料产业基地
D.国内知名的硅碳先进材料产业基地
第10题
A.有形资源
B.组织资源
C.无形资源
D.人力资源
第11题
B、电离的杂质会引起载流子的散射,从而影响载流子的迁移率
C、中性杂质不会对半导体产生影响
D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场,所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和
E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,由于杂质的补偿作用,对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差
F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度,由于杂质的补偿作用,该半导体材料属于本征半导体
G、杂质会在半导体的禁带中引入能级
H、如果杂质能级较浅,则杂质易于电离,可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型,如掺入硅中的磷
I、如果杂质能级较深,则杂质不易于电离,可能形成复合中心或陷阱中心
J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近,该杂质可有效促进载流子的复合,缩短非平衡载流子的寿命,起复合中心的作用,如掺入硅中的金
K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近,该杂质可暂时收容非平衡载流子,延长了非平衡载流子的寿命,起陷阱中心的作用