光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上A的工艺A刻制图形B．绘制图形C制作图形层（）

A.穿透性

B.荧光效应

C.感光效应

D.电离效应

E.生物效应

透视和摄影都要利用的X线特性是()。

A.穿透性

B.荧光作用

C.感光作用

D.电离作用 E生物效应

A.穿透性与荧光效应

B.穿透性与电离效应

C.穿透性与感光效应

D.感光效应与荧光效应

A.X线的热作用

B.X线的穿透作用

C.X线的生物特性

D.X线的电离作用

E.X线的感光作用

A.负胶的感光区域溶解

B.正胶的感光区域溶解

C.负胶的感光区域不溶解

D.正胶的感光区域不溶解

E.负胶的非感光区域溶解

A.封边胶带

B.残留的油墨

C.感光胶

D.丝网

A.20℃

B.30℃

C.40℃

D.50℃

A.卤化银

B.重铬酸盐感光胶

C.重氮萘醌类化合物

D.光敏树脂

A.溴化银

B.氯化银

C.溴化银+碘化银

D.碘化银

E.氟化银