量子材料中载流子受到约束的根源是电子具有________。
A.波粒二象性
B.自旋
C.电负性
D.能级
A.波粒二象性
B.自旋
C.电负性
D.能级
第2题
B、除本征光电导外,光照也能使束缚在杂质能级上的电子或空穴受激电离产生杂质光电导,但杂质光电导与本征光电导相比较是非常小的
C、在实际的半导体材料中,存在有大量的陷阱,光注入的少数载流子基本上全部被陷阱俘获,因此,只有光注入的多数载流子才对光电导有贡献
D、小注入时的光电导为线性光电导
E、大注入时的光电导为抛物线型光电导
F、通常把小注入时的非平衡载流子的寿命称为弛豫时间
G、弛豫时间越长,光电导的灵敏度越高。但弛豫时间越长,对光信号反应越慢。因此,既要灵敏度高,又要反应快,这是矛盾的
第3题
A.P型半导体和N型半导体材料本身不带电
B.P型半导体中,由于多数载流子为空穴,所以它带正电
C.N型半导体中,由于多数载流子为自由电子,所以它带负电
D.N型半导体中,由于多数载流子为自由电子,所以它带正电
第4题
A.只要用光照射半导体材料,就可以产生非平衡载流子
B.入射光子能量必须大于等于半导体的禁带宽度
C.非平衡电子和空穴成对产生
D.受到入射能量的激发,价带电子跃迁到导带,产生非平衡载流子
第5题
A.窄带材料的导带底和价带顶均位于宽带材料的禁带中,这种结构的电子势阱和空穴势阱都位于窄带材料中
B.一种材料的导带底和价带顶均分别低于另一种材料的导带底和价带顶,电子势阱和空穴势阱分别位于两种材料中,电子与空穴在空间上是分离的
C.一种材料的导带底与另一种材料的价带顶有一部分重叠,电子势阱和空穴势阱不在同一种材料中
D.窄带材料的导带底和价带顶均位于宽带材料的禁带中,电子势阱和空穴势阱不在同一种材料中
第8题
填缝碎石基层粗颗粒碎石可用具有一定强度的各种岩石轧制,材料中的针片状颗粒不应超过()。
A12%
B15%
C18%
D26%
第9题
A.气体在纳米材料中的扩散速度比在普通材料中快几千倍
B.纳米磁性材料的磁记录密度可比普通的磁性材料提高10倍
C.纳米复合材料对光的反射度极低,但对电磁波的吸收性能极强
D.纳米材料颗粒与生物细胞结合力很强
E.有些合金比单一金属具有较高的强度和韧性