IGBT为MOSFET与GTR组合而成的全控型、电压驱动型半导体器件。() - 快问云问答

第1题

IGBT管具有以GTR为主导元件，以MOSFET为驱动元件的复合结构。（)

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第2题

目前的风电变流器中，应用最多的电力电子器件是（)。

A.MOSFET

B.GTR

C.IGBT

D.GTO

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第3题

IGBT的驱动方法和（)基本相同，故具有高输入阻抗特性。

A.MOSFET

B.GTO

C.SCR

D.GTR

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第4题

下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（)

A.GTR

B.MOSFET

C.IGBT

D.SR

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第5题

绝缘栅双极型晶体管（IGBT)综合了GTR和MOSFET的优点，因而具有低导通压降和高输入阻抗的综合优点。（)

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第6题

下列半导体器件中属于电流控制型的是哪一个器件（)

A.GTR

B.P-MOSFET

C.IGBT

D.SR

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第7题

比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是（)

A.GTO

B.GTR

C.MOSFET

D.SR

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第8题

上海地铁电动列车辅助逆变器内的逆变模块所采用的半导体器件是（）

A.GTO

B.GTR

C.IGBT

D.晶闸管

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第9题

±800kV向上特高压直流输电换流站采用的换流器件是（)

A.汞弧阀

B.晶闸管

C.MOSFET

D.IGBT

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第10题

下列属于半控型器件的是（)。

A.IGBT

B.SCR

C.GTO

D.MOSFET

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第11题

IGBT属于一种具有MOSFET（)中、大功率器件。

A.高速性能的

B.高效率的

C.双极的

D.低电阻性能的

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IGBT为MOSFET与GTR组合而成的全控型、电压驱动型半导体器件。（)