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[主观题]

在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即（)和（)。

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发布时间：2022-09-01

更多“在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即（)和（)。”相关的问题

第1题

硅晶片上之所以可以产生薄膜，出始于布满在晶片表面的许多气体分子或其它粒子，它们主要是通过（)到达晶片表面的。

A.粒子的扩散

B.化学反应

C.从气体源通过强迫性的对流传送

D.被表面吸附

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第2题

下列提法是否正确？为什么？（1)水分子由二个氢元素及一个氧元素组成.（2)如果某元素处于“游离状态

下列提法是否正确？为什么？

(1)水分子由二个氢元素及一个氧元素组成.

(2)如果某元素处于“游离状态”,则它就被视为单质.

(3)一种用物理的或化学的方法都不能将其分解为两种以上不同性质的物质称为元素.

(4)水分子中元素氢与元素氧重量比为1:8,体积比为2:1.

(5)元素硅可以由SiO₂与C或CaC₂反应制取.

(6)元素磷在游离态时可以分为两种单质——白磷及红磷.

(7)煤、石墨和金刚石都是元素碳的三种不同的形态.

(8)在硫化铁中硫已不是脆的、黄色的、易燃的物质,而是以硫元素的形态存在.

(9)硫化铁是由硫及铁两种元素构成的.

(10)元素的性质是指游离态的原子的性质.

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第3题

半导体硅是（）工业重要基础材料、目前世界有（）和（）两种方法制备硅单晶，其中85%以上是用（）工艺制做的。

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第4题

试样中SiO2含量的测定，通常采用______和______两种方法，对硅含量低的试样可采用______。

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第5题

直拉硅单晶的氧杂质在低温热处理时，会产生施主效应，使得N型硅晶体的电阻率下降，P型硅晶体的电

阻率上升。施主效应严重时，能使P型硅晶体转化为N型，这就是氧的施主效应。氧的施主效应可以分为两种情况，有不同的性质，一种是在350～500℃左右温度范围生成的，称为（）；一种是在550～800℃左右温度范围形成的，称为（）。

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第6题

压电晶片连接方式有两种，即()和()。

压电晶片连接方式有两种，即（)和（)。

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第7题

硅约占地壳总重量的27.72%、其丰度(可以理解为含量)仅次于（）、排在（）；硅有晶态和无定形两种，晶态硅具有（）结构熔点为（）。

硅约占地壳总重量的27.72%、其丰度（可以理解为含量)仅次于（）、排在（）；硅有晶态和无定形两种，晶态硅具有（）结构熔点为（）。

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第8题

以下关于杂质的描述正确的是()。

A、半导体中的杂质会局部的破坏晶格的周期性势场，引起载流子的散射

B、电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率

C、中性杂质不会对半导体产生影响

D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和

E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差

F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体

G、杂质会在半导体的禁带中引入能级

H、如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷

I、如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心

J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近，该杂质可有效促进载流子的复合，缩短非平衡载流子的寿命，起复合中心的作用，如掺入硅中的金

K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近，该杂质可暂时收容非平衡载流子，延长了非平衡载流子的寿命，起陷阱中心的作用

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第9题

存货模式和随机模式是确定最佳现金持有量的两种方法。对这两种方法的以下表述中，正确的有()。

A.两种方法都考虑了现金的交易成本和机会成本

B.存货模式简单、直观，比随机模式有更广泛的适用性

C.随机模式可以在企业现金未来需要总量和收支不可预测的情况下使用

D.随机模式确定的现金持有量，更易受到管理人员主观判断的影响

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第10题

压力容器的封头制造方法。有（)两种

A.打磨成形和施压

B.冲压成形和旋压成形

C.铸造成形和旋压

D.冲压成形和刨削成形

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