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[单选题]

某半导体存在温度差时，在半导体两端产生了电动势，根据半导体高温端Vs的正负可以判断半导体的类型，这是根据什么原理实现的？（)

A.塞贝克效应

B.珀耳帖效应

C.汤姆逊效应

D.霍耳效应

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发布时间：2022-10-14

更多“某半导体存在温度差时，在半导体两端产生了电动势，根据半导体高温端Vs的正负可以判断半导体的类型，这是根据什么原理实现的？（)”相关的问题

第1题

某半导体存在温度差时，在半导体两端产生了电动势，若半导体的高温端Vs为正，则该半导体是()型半导体。【填写“N”或“P”】

某半导体存在温度差时，在半导体两端产生了电动势，若半导体的高温端Vs为正，则该半导体是（)型半导体。【填写“N”或“P”】

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第2题

对于实际的MIS结构，哪些因素会影响MIS结构的C-V特性曲线，使曲线相较于理想MIS结构的C-V特性曲线发生偏移？（)

A.金属和半导体之间存在功函数差

B.绝缘层中存在电荷

C.半导体与绝缘层的界面处存在表面态

D.外加偏压

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第3题

某用户家里宽带上网出现故障，在维修时发现在用户家门口连接终端可正常上网，那么（)。

A.用户家里可能存在放大器

B.机顶盒产生了影响

C.用户盒产生了影响

D.以上都是

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第4题

在本征硅半导体中,掺人浓度为5x10¹⁵cm^-3的受主杂质,试指出T=300K时所形成的杂质半导体类型.若再掺人浓度为10¹⁶cm^-3的施主杂质,则将为何种类型半导体？若将该半导体温度分别上升到T=500K、600K,试分析为何种类型半导体.

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第5题

温度升高时，半导体热敏电阻的阻值()，金属电阻值()。

温度升高时，半导体热敏电阻的阻值（)，金属电阻值（)。

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第6题

电缆表皮温度测量时，热极半导体点温计为()min。

电缆表皮温度测量时，热极半导体点温计为（)min。

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第7题

在掺杂半导体中，少子的浓度受（)的影响很大。

A.温度

B.掺杂工艺

C.掺杂浓度

D.压力

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第8题

下列关于霍尔元件的叙述，正确的有（)。

A.制作霍尔元件时多采用N型半导体材料

B.减小霍尔元件的厚度，可以提高其灵敏度

C.如果霍尔片两端的电压为E，那么适当地选择材料的迁移率及霍尔片的宽长比可改变霍尔电势值

D.金属可用于制作霍尔元件

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第9题

关于N型半导体的下列说法，正确的是（)。

A.只存在一种载流子：自由电子

B.在二极管中，N型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极

C.在纯净的硅衬底上，分散三价元素，可形成N型半导体

D.在PNP型的晶体管中，基区正是由N型半导体构成

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第10题

在异质结的界面处引入界面态的主要原因是？（)

A.在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配

B.由于两种材料热膨胀系数不同，在高温下引入界面态

C.化合物半导体构成的异质结中，由于成分元素的互扩散，引入界面态

D.半导体材料的表面吸附

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